單晶硅多晶硅光伏行業(yè)專(zhuān)用雷士超聲波清洗機

類(lèi)型      超聲波冷凝槽

適用領(lǐng)域     半導體、導體、硅晶、水晶玻璃、液晶屏

槽數      1

用途      表面清潔處理

功    能     超聲波+加熱+液體循環(huán)+溢流+冷凝降溫

包    裝     工業(yè)纏繞薄膜

超聲清洗機 1臺

超聲發(fā)生器 1臺

內槽尺寸     355×355×320 mm

槽體材質(zhì)     不銹鋼316

超聲功率     600W

超聲頻率     40KHz、80KHz、200KHz、270KHz    可切換

加熱調節     0~60℃

電器控制     PLC

概述

半導體行業(yè)的原材料大部分都由電子器件和硅片組成的，因為半導體外形比較復雜，孔內小，利用超聲波清洗機的高效率和高清潔度，得益于其聲波在介質(zhì)中傳播時(shí)產(chǎn)生的穿透性和空化沖擊疚，所以很容易將帶有復雜外形，內腔和細空清洗干凈，在超聲波作用下只需兩三分鐘即可完成，其速度比傳統方法可提高幾倍，甚至幾十倍，清潔度也能達到高標準，提高了對半導體的生產(chǎn)效率，更突出顯示了用其他處理方法難以達到或不可取代的結果

LSA-MN12四頻率半導體超聲波清洗機，能有效去除硅片、晶片表面的有機物、顆粒、金屬雜質(zhì)及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破壞晶片表面特性。根據不同清洗工藝配置相應的清洗單元，各部分有獨立控制，隨意組合，設備結構緊湊，凈化占地面積小，造型美觀(guān)、實(shí)用，操作符合人機工程原理。

2清洗方式

普通的清洗方法一般不能達到孔內,而孔內芯料的反應生成物及其他污染物會(huì )在后序工藝中會(huì )產(chǎn)生重復污染。無(wú)論是采用有機溶劑或是清洗液清洗都容易引入新的污染源,然而利用超聲波清洗技術(shù)卻可以實(shí)現無(wú)重復污染,而且能深入MCP孔內的效果。對不同材料及孔徑的MCP應采用頻率、聲強可調的超聲波進(jìn)行實(shí)驗,以確定實(shí)際工藝參數。對孔徑6~12μmMCP的清洗,當媒液為水和乙醇時(shí),可采用空化閾約1/3 W/cm2,聲強10~20 W/cm2,頻率20~120 kHz的超聲波進(jìn)行清洗。表1是同一段不同板號的MCP采用不同頻率超聲波清洗后表觀(guān)及電性能測試結果。由檢測結果可見(jiàn),對1μm以下的小顆粒污染物,應選用頻率40 kHz以上的超聲波進(jìn)行清洗。

3清洗溫度

在硅片的清洗過(guò)程中，清洗液的溫度是一個(gè)關(guān)鍵因素。合適的清洗溫度能夠加快油污的去除，得到非常好的清洗效果。當硅片浸到清洗液中，硅片上的油污產(chǎn)生膨脹，油污內部以及油污與硅片之間的作用力減弱，溫度越高，油污膨脹越大，這種作用力就越弱，表面活性劑分子越容易將油污撬離硅片表面。同時(shí)，溫度的變化可導致膠束本身性質(zhì)和被增溶物在膠束中溶解情況發(fā)生變化。只有溫度接近表面活性劑溶液的濁點(diǎn)溫度時(shí)，增溶能力最強，因而清洗液的溫度設定在60℃。