功率器件CV測試系統概述

電容-電壓(C-V)測量廣泛用于測量半導體參數，尤其是MOS CAP和MOSFET結構。MOS(金屬-氧化物-半導體)結構的電容是外加電壓的函數，MOS電容隨外加電壓變化的曲線(xiàn)稱(chēng)之為C-V曲線(xiàn)（簡(jiǎn)稱(chēng)C-V特性），C-V曲線(xiàn)測試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動(dòng)電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數。詳詢(xún)一八一四零六六三四七六；

系統方案

普賽斯半導體功率器件C-V測試系統主要由源表、LCR 表、矩陣開(kāi)關(guān)和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負責提供可調直流電壓偏置，通過(guò)矩陣開(kāi)關(guān)加載在待測件上。

進(jìn)行C-V 測量時(shí)，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時(shí)利用一個(gè)交流信號進(jìn)行測量。一般使用的交流信號頻率在10KHz 到1MHz   之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過(guò)程中測試待測器件待測器件的交流電壓和電流，從而計算出不同電壓下的電容值。

系統優(yōu)勢

• 頻率范圍寬：頻率范圍10Hz~1MHz連續頻率點(diǎn)可調；

• 高精度、大動(dòng)態(tài)范圍：提供0V~3500V偏壓范圍，精度0.1%；

• 內置CV測試：內置自動(dòng)化CV測試軟件，包含C-V（電容- 電壓），C-T（電容- 時(shí)間），C-F（電容 - 頻率）等多項測試測試功能;

• 兼容IV測試：同時(shí)支持擊穿特性以及漏電流特性測試；

• 實(shí)時(shí)曲線(xiàn)繪制：軟件界面直觀(guān)展示項目測試數據及曲線(xiàn)，便于監控；

• 擴展性強：系統采用模塊化設計，可根據需求靈活搭配；

  基本參數

典型配置

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