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 江蘇/無(wú)錫市
  • 泉州中福燦宏電子科技有限公司
  • 主營(yíng)：電子專(zhuān)用材料研發(fā)；電子專(zhuān)用材料制造；電子專(zhuān)用材料銷(xiāo)售；電子產(chǎn)品銷(xiāo)售；
  • 地址：福建省泉州市安溪縣鳳城鎮民主路536號
  • 成立時(shí)間：2021     注冊資本：100萬(wàn)人民幣
 福建/泉州市
  • 福建安溪燦宏電子科技有限公司
  • 主營(yíng)：可控硅/晶閘管,單相/三相整流橋模塊,中頻爐逆變可控硅,快速晶閘管/整流管模塊,超快恢復二極管, 焊接普通晶閘管模塊,電焊機整流橋,KP普通晶閘管KK快速晶閘管,KA高頻晶閘管,KS雙向晶閘管,ZP整流二極管, ZK快恢復二極管,散熱器/
  • 地址：福建省泉州市安溪縣鳳城鎮金龍現代廣場(chǎng)1號樓2206室
  • 成立時(shí)間：2015     注冊資本：50萬(wàn)人民幣
 福建/泉州市
  • 長(cháng)沙傾佳電力電子技術(shù)有限公司
  • 主營(yíng)：SiC模塊全面取代IGBT模塊，SiC模塊驅動(dòng)板，SiC功率模塊替代英飛凌碳化硅SiC模塊長(cháng)沙代理國產(chǎn)替代，SiC功率模塊替代英飛凌IGBT模塊，SiC功率模塊替代三菱IPM模塊長(cháng)沙代理國產(chǎn)替代，SiC功率模塊替代賽米控IGBT模塊長(cháng)沙代理國產(chǎn)替代，SiC功率模塊替代FUJI富士IGBT模塊長(cháng)沙代理國產(chǎn)替代，SiC功率模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊長(cháng)沙代理國產(chǎn)替代，汽車(chē)級碳化硅SiC模塊，Easy3B碳化硅SiC模塊，Easy2B碳化硅SiC模塊，Easy1B碳化硅SiC模塊，34mm碳化硅SiC模塊，62
  • 地址：長(cháng)沙高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區
  • 成立時(shí)間：2018    
湖南/長(cháng)沙
  • 西安國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET有限公司
  • 主營(yíng)：楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代英飛凌三菱賽米控丹佛斯Fuji富士碳化硅SiC模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代英飛凌三菱賽米控FUJI富士IGBT模塊|SiC功率模塊替代三菱IGBT模塊西安代理國產(chǎn)替代|SiC功率模塊替代賽米控IGBT模塊西安代理國產(chǎn)替代|SiC功率模塊替代FUJI富士IGBT模塊西安代理國產(chǎn)替代|Easy1B碳化硅SiC模塊|Easy2B碳化硅SiC模塊|Easy3B碳化硅SiC模塊|34mm碳化硅SiC模塊|62mm碳化硅SiC模塊|ED3碳化硅SiC模塊|PIM碳化硅SiC模塊|SiC模
  • 地址：西安高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區
  • 成立時(shí)間：2018    
陜西/西安
  • 武漢國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET有限公司
  • 主營(yíng)：楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代英飛凌三菱賽米控丹佛斯Fuji富士碳化硅SiC模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代英飛凌三菱賽米控FUJI富士IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代三菱IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代賽米控IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代FUJI富士IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代賽米控丹佛斯功率模塊|楊茜E2B碳化硅SiC模塊|楊茜E3B碳化硅SiC模塊|楊茜34mm碳化硅SiC模塊|楊茜34mm碳化硅SiC模塊|楊茜62mm碳化硅SiC模塊|楊茜ED3碳化硅SiC模塊|
  • 地址：武漢高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區
  • 成立時(shí)間：2018    
湖北/武漢
  • 廈門(mén)傾佳逆變器電力電子有限公司
  • 主營(yíng)：UPS碳化硅SiC模塊|光伏逆變器SiC碳化硅MOSFET功率模塊|儲能變流器SiC碳化硅MOSFET功率模塊|SiC模塊升級替代IGBT模塊|楊茜SiC模塊驅動(dòng)板|楊茜SiC功率模塊替代英飛凌碳化硅SiC模塊廈門(mén)代理國產(chǎn)替代|楊茜SiC功率模塊替代英飛凌IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊替代三菱IPM模塊廈門(mén)代理國產(chǎn)替代|楊茜SiC功率模塊替代賽米控IGBT模塊廈門(mén)代理國產(chǎn)替代|楊茜SiC功率模塊替代FUJI富士IGBT模塊廈門(mén)代理國產(chǎn)替代|楊茜SiC功率模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊廈門(mén)代理國產(chǎn)替代|楊茜
  • 地址：廈門(mén)高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區
  • 成立時(shí)間：2018    
福建/廈門(mén)市
  • 傾佳電子有限公司杭州辦事處
  • 主營(yíng)：楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代英飛凌碳化硅SiC模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代英飛凌IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代三菱IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代賽米控IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代富士IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代賽米控丹佛斯功率模塊|杭州SiC功率半導體BASiC基本|杭州SiC加速替代IGBT|楊茜汽車(chē)級碳化硅SiC模塊|杭州SiC模塊升級替代IGBT模塊|杭州電力電子|楊茜SiC革IGBT命|杭州SiC碳化硅MOSFET|杭州基本半導體SiC MOSFET一
  • 地址：寧波高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區
  • 成立時(shí)間：2018    
浙江/杭州
  • 香港傾佳電子有限公司
  • 主營(yíng)：香港隔離驅動(dòng)IC|SiC加速替代IGBT|香港SiC碳化硅MOSFET|香港SiC單管替代IGBT單管|香港SiC模塊替代IGBT模塊|香港基本半導體SiC MOSFET一級代理|香港基本半導體一級代理|香港汽車(chē)SiC模塊|香港基本半導體SiC模塊|香港基本半導體SiC單管|香港基本半導體驅動(dòng)IC|基本半導體SiC MOSFET|香港BASiC Semiconductor|香港工業(yè)SiC模塊|香港
  • 地址：香港觀(guān)塘工業(yè)大廈
  • 成立時(shí)間：2018    
廣東/深圳
  • 上海傾佳電力電子技術(shù)有限公司
  • 主營(yíng)：SiC模塊革IGBT模塊命|BASiC基本半導體SiC模塊一級代理商|基本半導體SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊|基本半導體SiC模塊替代三菱IGBT模塊|基本半導體SiC模塊替代賽米控IGBT模塊|基本半導體SiC模塊替代FUJI富士IGBT模塊|基本半導體SiC模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊|62mm基本半導體SiC碳化硅MOSFET模塊|ED3基本半導體SiC碳化硅MOSFET模塊|基本半導體SiC碳化硅降低電源紋波系數|動(dòng)態(tài)響應|電抗成本|華東電力電子|BASiC基本半導體?華東SiC碳化硅功率器件
  • 地址：上海閔行虹橋商務(wù)區
  • 成立時(shí)間：2018    
上海/閔行區
  • 成都傾佳電子技術(shù)有限公司
  • 主營(yíng)：SiC革IGBT命|逆變焊機SiC碳化硅MOSFET|射頻電源SiC碳化硅MOSFET|等離子焊機SiC模塊|工業(yè)焊機SiC碳化硅模塊|基本半導一級代理|成都國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET|成都BASiC基本半導體|成都基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代英飛凌IGBT模塊|成都基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代三菱IGBT模塊|成都基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代賽米控IGBT模塊|成都基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代富士IGBT模塊|成都SiC革IGBT命|成都BASiC基本?SiC碳化硅革掉
  • 地址：成都高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區
  • 成立時(shí)間：2018    
四川/成都
  • 武漢傾佳電子有限公司
  • 主營(yíng)：BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代英飛凌IGBT模塊|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代富士IGBT模塊|華中SiC碳化硅MOSFET功率模塊|國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET武漢代理商|SiC碳化硅MOSFET持續替代IGBT|2000V碳化硅MOSFET|伺服驅動(dòng)SiC碳化硅MOSFET|SVG及APF電能質(zhì)量SiC碳化硅MOSFET|風(fēng)電變流器SiC碳化硅MOSFET模塊|工業(yè)變頻器SiC碳化硅MOSFET|基本公司SiC碳化硅MOSFET|國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET武漢代理商
  • 地址：武漢東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區
  • 成立時(shí)間：2018    
湖北/武漢
  • 傾佳電子有限公司上海辦事處
  • 主營(yíng)：上海SiC碳化硅MOSFET，基本公司SiC碳化硅MOSFET上海一級代理商，中國SiC碳化硅功率器件-基本公司，碳化硅功率器件國產(chǎn)化，基本公司碳化硅MOSFET器件，BASiC公司碳化硅MOSFET，SiC碳化硅MOSFET取代IGBT，碳化硅MOSFET單管替代單管IGBT，SiC碳化硅MOSFET功率模塊替代IGBT模塊，碳化硅替代IGBT，SiC替代IGBT，SiC碳化硅MOSFET升級替代IGBT，基本BASiC碳化硅MOSFET晶圓，SiC碳化硅SBD晶圓，SiC碳化硅二極管晶圓，eVTOL電
  • 地址：上海閔行虹橋商務(wù)區
  • 成立時(shí)間：2018    
上海
  • 深圳傾佳電子碳化硅功率半導體有限公司
  • 主營(yíng)：傾佳碳化硅二極管,傾佳碳化硅SiC功率MOSFET,傾佳碳化硅MOSFET模塊，傾佳單管IGBT，傾佳IGBT模塊，傾佳隔離驅動(dòng)IC，傾佳創(chuàng )新型車(chē)規級連接器，傾佳汽車(chē)智能互聯(lián)連接器與線(xiàn)束，傾佳新能源汽車(chē)連接器，傾佳新能源汽車(chē)高壓連接器與線(xiàn)束，傾佳直流充電座，傾佳耐高壓連接器&插座，傾佳高能效電源連接器，傾佳大功率RC-IGBT模塊，傾佳IGBT模塊驅動(dòng)器，傾佳SiC碳化硅MOSFET模塊驅動(dòng)板，傾佳碳化硅(SiC)MOSFET模塊，傾佳IGBT模塊，傾佳RC-IGBT模塊，傾佳碳化硅(SiC)MOSFET
  • 地址：深圳市福田區梅林奧士達大廈
  • 成立時(shí)間：2018    
廣東/深圳
  • 傾佳電子有限公司
  • 主營(yíng)：汽車(chē)智能互聯(lián)連接器與線(xiàn)束，新能源汽車(chē)連接器，新能源汽車(chē)高壓連接器與線(xiàn)束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，英飛凌MOSFET，國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET，英飛凌IPM模塊，英飛凌IGBT單管，英飛凌IGBT單管，英飛凌IGBT模塊，賽米控IGBT模塊，丹佛斯IGBT模塊，三菱IPM模塊，富士IGBT單管，富士IGBT模塊，三菱DIP-IPM模塊，基本SiC碳化硅MOSFET，電力電子，基本汽車(chē)級碳化硅(SiC)模塊，國產(chǎn)氮化鎵GaN，隔離驅動(dòng)IC
  • 地址：深圳市福田區梅林奧士達大廈
  • 成立時(shí)間：2018    
廣東/深圳
  • 上海保迪增浩國際貿易有限公司
  • 主營(yíng)：上海BASiC基本半導體代理商，汽車(chē)主驅碳化硅模塊，EV電驅動(dòng)SiC MOSFET模塊，雙面水冷散熱，氫燃料電動(dòng)汽車(chē)碳化硅模塊，汽車(chē)OBC碳化硅MOSFET,定制IGBT模塊，汽車(chē)IGBT模塊，全碳化硅SiC模塊，EV電動(dòng)壓縮機SiC MOSFET模塊，SiC MOSFET Module,Full SiC Module,Hybrid SiC Module,國產(chǎn)SiC MOSFET，碳化硅SiC MOSFET分立器件，碳化硅SiC MOSFET模塊，混合SiC-IGBT單管，三電平IGBT模塊，I型三電平S
  • 地址：上海市靜安區南京西路1515號一座3106室
  • 成立時(shí)間：1997    
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