普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數測試系統,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量IGBT功率半導體器件的靜態(tài)參數,具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。大功率igbt測試設備igbt測試儀認準普賽斯儀表，詳詢(xún)一八一四零六六三四七六；

“雙高”系統優(yōu)勢

  高電壓、大電流

    具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(Z大可擴展至10kV)

    具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián))

  高精度測量

    nA級漏電流,  μΩ級導通電阻

    0.1%精度測量

  模塊化配置

    可根據實(shí)際測試需要靈活配置多種測量單元系統預留升級空間,后期可添加或升級測量單元

  測試效率高

    內置專(zhuān)用開(kāi)關(guān)矩陣,根據測試項目自動(dòng)切換電路與測量單元

    支持國標全指標的一鍵測試

    擴展性好

    支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具

測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續流二極管壓降Vf
I-V特性曲線(xiàn)掃描，C-V特性曲線(xiàn)掃描等