圖：探測器的分類(lèi)

光電二極管(PIN)也稱(chēng)PIN結二極管,在光電二極管的PN結中間摻入一層濃度很低的I型半導體,就可以增大耗盡區的寬度,達到減小擴散運動(dòng)的影響,提高響應速度的目的。由于這一摻入層的摻雜濃度低,近乎本征(Intrinsic)半導體,故稱(chēng)l層,因此這種結構成為PIN光電二極管;

雪崩光電二極管(APD)是一種具有內部增益的光電二極管,其原理類(lèi)似于光電倍增管。在加上一個(gè)較高的反向偏置電壓后(在硅材料中一般為100-200V),利用電離碰撞(雪崩擊穿)效應,可在A(yíng)PD中獲得一個(gè)大約100的內部電流增益;

單光子雪崩二極管(SPAD)是一種具有單光子探測能力的光電探測雪崩二極管,工作在蓋革模式下的APD(Avalanche  Photon Diode)。應用于拉曼光譜、正電子發(fā)射斷層掃描和熒光壽命成像等領(lǐng)域;

 硅光電倍增管(SiPM)是一種由工作于雪崩擊穿電壓之上和具有雪崩猝滅機制的雪崩光電二極管陣列并聯(lián)構成的,具有較好的光子數分辨和單光子探測靈敏度的硅基弱光探測器,具有增益高、靈敏度高、偏置電壓低、對磁場(chǎng)不敏感、結構緊湊等特點(diǎn)。

圖：光電二極管(PIN)、雪崩光電二極管(APD)、單光子雪崩二極管(SPAD)、硅光電倍增管(SiPM/MPPC)

PIN光電二極管沒(méi)有倍增效果,常常應用在短距離的探測領(lǐng)域。APD雪崩光電二極管技術(shù)較為成熟,是使用Z為廣泛的光電探測器件。目前APD的典型增益是10-100倍,在進(jìn)行遠距離測試時(shí)需大幅提高光源光強才能確保APD有信號。SPAD單光子雪崩二極管和SiPM/MPPC硅光電倍增管主要是為了解決增益能力和大尺寸陣列的實(shí)現而存在:

1)SPAD或者SiPM/MPPC是工作在蓋革模式下的APD，可以獲得幾十倍到幾千倍的增益,但系統成本與電路成本均較高;

2)SiPM/MPPC是多個(gè)SPAD的陣列形式,可通過(guò)多個(gè)SPAD獲得更高的可探測范圍以及配合陣列光源使用,更容易集成CMOS技術(shù),具備規模量產(chǎn)的成本優(yōu)勢。此外,由于SiPM工作電壓大多低于30V,不需要高壓系統,易于與主流電子系統集成,內部的增益也使SiPM對后端讀出電路的要求更簡(jiǎn)單。目前,SiPM廣泛應用于yi療儀器、激光探測與測量(LiDAR)、精密分析、輻射監測、安全檢測等領(lǐng)域,隨著(zhù)SiPM的不斷發(fā)展將拓展至更多的領(lǐng)域。

表：SiPM/MPPC、SPAD、APD、PIN-PD探測器參數對比

光電探測器光電測試

   光電探測器一般需要先對晶圓進(jìn)行測試,封裝后再對器件進(jìn)行二次測試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測器在工作時(shí),需要施加反向偏置電壓來(lái)拉開(kāi)光注入產(chǎn)生的電子空穴對,從而完成光生載流子過(guò)程,因此光電探測器通常在反向狀態(tài)工作;測試時(shí)比較關(guān)注暗電流、反向擊穿電壓、結電容、響應度、串擾等參數。  

利用數字源表進(jìn)行光電探測器光電性能表征

   實(shí)施光電性能參數表征分析的Z佳工具之一是數字源表(SMU)。數字源表作為獨立的電壓源或電流源,可輸出恒壓、恒流、或者脈沖信號,還可以當作表,進(jìn)行電壓或者電流測量;支持Trig觸發(fā),可實(shí)現多臺儀表聯(lián)動(dòng)工作;針對光電探測器單個(gè)樣品測試以及多樣品驗證測試,可直接通過(guò)單臺數字源表、多臺數字源表或插卡式源表搭建完整的測試方案。光電探測器電性能測試精密電流源認準普賽斯儀表，詳詢(xún)一八一四零六六三四七六；

普賽斯數字源表搭建光電探測器光電測試方案

暗電流

   暗電流是PIN /APD管在沒(méi)有光照的情況下,增加一定反置偏壓形成的電流;它的本質(zhì)是由PIN/APD本身的結構屬性產(chǎn)生的,其大小通常為微安以下。測試時(shí)推薦使用普賽斯S系列或P系列源表,S系列源表Z小電流100pA,P系列源表Z小電流10pA。

反向擊穿電壓

    外加反向電壓超過(guò)某一數值時(shí),反向電流會(huì )突然增大,這種現象稱(chēng)為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱(chēng)為二極管反向擊穿電壓。根據器件的規格不同,其耐壓指標也不一致,測試所需的儀表也不同,擊穿電壓在300V以下推薦使用S系列臺式源表或P系列脈沖源表,其Z大電壓300v,擊穿電壓在300V以上的器件推薦使用E系列,Z大電壓3500V。

C-V測試

  結電容是光電二極管的一個(gè)重要性質(zhì),對光電二極管的帶寬和響應有很大影響。光電傳感器需要注意的是,PN結面積大的二極管結體積也越大,也擁有較大的充電電容。在反向偏壓應用中,結的耗盡區寬度增加，會(huì )有效地減小結電容,增大響應速度;光電二極管C-V測試方案由S系列源表、LCR、測試夾具盒以及上位機軟件組成。

響應度

  光電二極管的響應度定義為在規定波長(cháng)和反向偏壓下,產(chǎn)生的光電流(IP)和入射光功率(Pin)之比,單位通常為A/W。響應度與量子效率的大小有關(guān),為量子效率的外在體現,響應度R=lP/Pino測試時(shí)推薦使用普賽斯S系列或P系列源表,S系列源表Z小電流100pA,P系列源表Z小電流10pA。

光串擾測試(Crosstalk)

   在激光雷達領(lǐng)域,不同線(xiàn)數的激光雷達產(chǎn)品所使用的光電探測器數量不同,各光電探測器之間的間隔也非常小,在使用過(guò)程中多個(gè)感光器件同時(shí)工作時(shí)就會(huì )存在相互的光串擾,而光串擾的存在會(huì )嚴重影響激光雷達的性能。

   光串擾有兩種形式:一種在陣列的光電探測器上方以較大角度入射的光在被該光電探測器玩全吸收前進(jìn)入相鄰的光電探測器并被吸收;二是大角度入射光有一部分沒(méi)有入射到感光區,而是入射到光電探測器間的互聯(lián)層并經(jīng)反射進(jìn)入相鄰器件的感光區。

 圖：串擾產(chǎn)生機理示意圖

   陣列探測器光串擾測試主要是進(jìn)行陣列直流串擾測試,是指在規定的反向偏壓、波長(cháng)和光功率下,陣列二極管中光照單元的光電流與任意一個(gè)相鄰單元光電流之比的Z大值。測試時(shí)推薦使用普賽斯S系列、P系列或者CS系列多通道測試方案。

    光電探測器電性能測試精密電流源認準生產(chǎn)廠(chǎng)家武漢普賽斯儀表，詳詢(xún)一八一四零六六三四七六；武漢普賽斯一直專(zhuān)注于半導體的電性能測試儀表開(kāi)發(fā),基于核心算法和系統集成等技術(shù)平臺優(yōu)勢,帥先自主研發(fā)了高精度數字源表、脈沖式源表、窄脈沖源表、集成插卡式源表等產(chǎn)品,廣泛應用在半導體器件材料的分析測試領(lǐng)域。能夠根據用戶(hù)的需求搭配出Z高效、Z具性?xún)r(jià)比的半導體測試方案。