4英寸碳化硅基氮化鎵外延片廠(chǎng)家價(jià)格結構

蘇州恒邁瑞公司供應4-6英寸碳化硅基氮化鎵外延片，GaN-on-SiC結合了碳化硅優(yōu)異的導熱性和GaN高功率密度、低損耗能力，襯底上的器件可在高電壓和高漏極電流下運行，結溫將隨RF功率緩慢升高，RF性能更好，目前多數GaN射頻器件的襯底都是碳化硅。受限于SiC襯底，目前尺寸仍然限制在4寸與6寸，8寸還沒(méi)有推廣。GaN-on-SiC外延片主要用于制造微波射頻器件。

GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng)，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著(zhù) MBE技術(shù)在GaN材料應用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長(cháng)技術(shù)的突破，成功地生長(cháng)出了GaN多種異質(zhì)結構。用GaN材料制備出了金屬場(chǎng)效應晶體管（MESFET）、異質(zhì)結場(chǎng)效應晶體管(HFET)、調制摻雜場(chǎng)效應晶體管（MODFET）等新型器件。GaN高效率、低損耗與高頻率的材料特性使其在消費電子充電器、電源適配器等領(lǐng)域具有相當的滲透潛力?？斐鋷?dòng)GaN功率器件應用，與傳統充電器相比，相同功率下的GaN充電器體積更小，質(zhì)量更輕攜帶便利。GaN充電器充電功率大，充電速度快，可滿(mǎn)足多臺設備同時(shí)充電的場(chǎng)景需求，且價(jià)格相對便宜。在電源適配器、無(wú)線(xiàn)充電應用中， GaN器件關(guān)斷速度快、開(kāi)關(guān)頻率高、無(wú)反向恢復損失、低傳導損耗的特點(diǎn)可以得到充分發(fā)揮，逐步取代原有電源適配器中Si MOSFET趨勢明顯。GaN的“雙高”特性在高性能消費電子設備中滲透潛力巨大，可滿(mǎn)足快速充電與充電保護的場(chǎng)景要求。具體應用場(chǎng)景主要包括：PD快充、電源適配器、無(wú)線(xiàn)充電、過(guò)電壓保護 OVP等。