GaN-on-SiC碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠(chǎng)家微波射頻器件

作為氮化鎵外延片生產(chǎn)廠(chǎng)家，蘇州恒邁瑞公司不僅提供RF HEMT 射頻高電子遷移管GaN 氮化鎵外延片，同時(shí)可供應4至8英寸硅基氮化鎵外延片，4至6英寸藍寶石基氮化鎵外延片，優(yōu)秀的應力控制技術(shù)使得材料的翹曲控制，出色的外延生長(cháng)技術(shù)和良好的品質(zhì)管控能力確保了外延材料批量化生產(chǎn)的均勻性和一致性。

碳化硅基氮化鎵射頻器件同時(shí)具備了碳化硅的高導熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出的優(yōu)勢，突破了砷化鎵和硅基 LDMOS 器件的固有缺陷，能夠滿(mǎn)足 5G 通訊對高頻性能和高功率處理能力的要求。碳化硅基氮化鎵射頻器件已逐步成為 5G 功率放大器尤其宏基站功率放大器的主流技術(shù)路線(xiàn)。