有機場(chǎng)效應晶體管iv+cv測試儀概述：

SPA-6100半導體參數分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學(xué)特性測試系統，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿材料研究、半導體芯片器件設計以及先進(jìn)工藝的開(kāi)發(fā)，具有桌越的測量效率與可靠性。

基于模塊化的體系結構設計，SPA-6100半導體參數分析儀可以幫助用戶(hù)根據測試需要，靈活選配測量單元進(jìn)行升級。產(chǎn)品支持Z高1200V電壓、100A大電流、1pA小電流分辨率的測量，同時(shí)檢測10kHz至1MHz范圍內的多頻AC電容測量。SPA-6100半導體參數分析儀搭載普賽斯自主開(kāi)發(fā)的專(zhuān)用半導體參數測試軟件,支持交互式手動(dòng)操作或結合探針臺的自動(dòng)操作,能夠從測量設置、執行、結果分析到數據管理的整個(gè)過(guò)程，實(shí)現高效和可重復的器件表征;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿(mǎn)足高低溫測試需求。有機場(chǎng)效應晶體管iv+cv測試儀詳詢(xún)一八一四零六六三四七六；

產(chǎn)品特點(diǎn)：
       

30μV-1200V；1pA-100A寬量程測試能力；

測量精度高，全量程下可達0.03%精度；
       

內置標準器件測試程序，直接調用測試簡(jiǎn)便；
       

自動(dòng)實(shí)時(shí)參數提取，數據繪圖、分析函數；

在CV和IV測量之間快速切換而無(wú)需重新布線(xiàn)；
           提供靈活的夾具定制方案，兼容性強；

免費提供上位機軟件及SCPI指令集；
           
       

典型應用：

納米、柔性等材料特性分析；
       

二極管；
       

MOSFET、BJT、晶體管、IGBT；
       

第三代半導體材料/器件；
       

有機OFET器件；
       

LED、OLED、光電器件；

半導體電阻式等傳感器；

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管；

電阻率系數和霍爾效應測量；

太陽(yáng)能電池；

非易失性存儲設備；

失效分析；

系統技術(shù)規格

有機場(chǎng)效應晶體管iv+cv測試儀訂貨信息

硬件指標-IV測試

半導體材料以及器件的參數表征，往往包括電特性參數測試。絕大多數半導體材料以及器件的參數測試，都包括電流-電壓(I-V)測量。源測量單元(SMU)，具有四象限，多量程，支持
       四線(xiàn)測量等功能，可用于輸出與檢測高精度、微弱電信號，是半導體|-V特性測試的重要工具之-。SPA-6100配置有多種不同規格的SMU,如低壓直流SMU,低壓脈沖SMU,大電流SMU。用戶(hù)可根據測試需求靈活配置不同規格,以及不同數量的搭配，實(shí)現測試測試效率與開(kāi)支的平衡。
   

靈活可定制化的夾具方案
       

針對市面上不同封裝類(lèi)型的半導體器件產(chǎn)品,普賽斯提供整套夾具解決方案。夾具具有低阻抗、安裝簡(jiǎn)單、種類(lèi)豐富等特點(diǎn)，可
   用于二極管、三極管、場(chǎng)效應晶體管、IGBT、SiC  MOS、GaN等單管，模組類(lèi)產(chǎn)品的測試;也可與探針臺連接，實(shí)現晶圓級芯片
   測試。

探針臺連接示意圖