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igbt靜態(tài)性能測試設備

 
 
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發(fā)貨 湖北武漢江夏區付款后3天內
品牌 普賽斯儀表
大電壓上升沿 典型值5ms
大電流上升沿 典型值15us
漏電流測試范圍 1nA~100mA
更新 2024-11-22 09:24
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武漢普賽斯儀表有限公司

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  • 王承 (女士)   市場(chǎng)專(zhuān)員
產(chǎn)品詳細

SiC/IGBT功率器件應用發(fā)展

 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件,具有高輸入阻抗、低導通壓降、高速開(kāi)關(guān)特性和低導通狀態(tài)損耗等特點(diǎn),在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。

 新能源汽車(chē)受800V驅動(dòng),以主逆變?yōu)榇淼腟iC滲透全面提速,貢獻蕞大下游市場(chǎng)并帶動(dòng)充電樁、光儲及UPS市場(chǎng)逐步增長(cháng)。碳化硅器件當前以電壓等級600-1700V,功率等級10kW-1MW的硅基IGBT為主要替代對象.以下五類(lèi)細分應用成為當前及未來(lái)的核心潛力領(lǐng)域:

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     800V架構帶來(lái)的直接性能提升,疊加供給端、應用端、成本端多重利好,推動(dòng)新能源汽車(chē)成為SiC未來(lái)5年核心應用陣地。

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SiC/IGBT功率半導體器件主要測試參數

  近年來(lái)IGBT成為電力電子領(lǐng)域中尤為矚目的電力電子器件,并得到越來(lái)越廣泛的應用,那么IGBT的測試就變的尤為重要了。lGBT的測試包括靜態(tài)參數測試、動(dòng)態(tài)參數測試、功率循環(huán)、HTRB可靠性測試等,這些測試中最基本的測試就是靜態(tài)參數測試。

  隨著(zhù)半導體制程工藝不斷提升,測試和驗證也變得更加重要。通常,主要的功率半導體器件特性分為靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、開(kāi)關(guān)特性。靜態(tài)參數特性主要是表征器件本征特性指標,與工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數,如很多功率器件的的靜態(tài)直流參數(如擊穿電壓V(BR)DSS、漏電流I  CES/IDSS/IGES/IGSS、閾值電壓VGS(th)、跨導Gfs、壓降VF 、導通內阻RDS(on))等。功率半導體器件是一種復合全控型電壓驅動(dòng)式器件,兼有高輸入阻抗和低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn);同時(shí)半導體功率器件的芯片屬于電力電子芯片,需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下,對芯片的可靠性要求較高,這給測試帶來(lái)了一定的困難。市面上傳統的測量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求,但是寬禁帶半導體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術(shù)卻極大擴展了高壓、高速的分布區間。如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線(xiàn)或其它靜態(tài)特性,這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。


普賽斯IGBT功率半導體器件靜態(tài)參數測試解決方案

  PMST系列功率器件靜態(tài)參數測試系統是武漢普賽斯正向設計、精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統,是一款能夠提供IV、CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統,具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢,旨在全面滿(mǎn)足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數表征和測試,并具有優(yōu)秀的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專(zhuān)家。詳詢(xún)18140663476

  針對用戶(hù)不同測試場(chǎng)景的使用需求,普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數測試系統、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數產(chǎn)線(xiàn)半自動(dòng)化測試系統、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數產(chǎn)線(xiàn)全自動(dòng)化測試系統三款功率器件靜態(tài)參數測試系統。

從實(shí)驗室到小批量、大批量產(chǎn)線(xiàn)的全覆蓋 

從Si   IGBT、SiC MOS到GaN HEMT的全覆蓋 

從晶圓、芯片、器件、模塊到IPM的全覆蓋


igbt靜態(tài)性能測試設備特點(diǎn)

1、高電壓、大電流

具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(蕞大可擴展至10kV)

具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián))

2、高精度測量

nA級漏電流,μΩ級導通電阻 

0.1%精度測量 

四線(xiàn)制測試

3、模塊化配置

可根據實(shí)際測試需要靈活配置多種測量單元

系統預留升級空間,后期可添加或   升級測量單元

4、測試效率高

內置專(zhuān)用開(kāi)關(guān)矩陣,根據測試項目自動(dòng)切換電路與測量單元 

支持國標全指標的一鍵測試

5、軟件功能豐富

上位機自帶器件標準參數測試項目模板,可直接調取使用

支持曲線(xiàn)繪制

自動(dòng)保存測試數據,并支持EXCEL格式導出

開(kāi)放的標準SCPI指令集,可與第三方系統集成

6、擴展性好

支持常溫及低溫、高溫測試

可靈活定制各種夾具

可與探針臺,溫箱等第三方設備聯(lián)動(dòng)使用


硬件特色與性能優(yōu)勢

1、大電流輸出響應快,無(wú)過(guò)沖

采用自主開(kāi)發(fā)的高性能脈沖式大電流源、高壓源,輸出建立過(guò)程響應快、無(wú)過(guò)沖。測試過(guò)程中,大電流典型上升時(shí)間為15μs,    脈寬在50~500μs之間可調。采用脈沖大電流的測試方式,可有 效降低器件因自身發(fā)熱帶來(lái)的誤差。

2、高壓測試支持恒壓限流,恒流限壓模式

采用自主開(kāi)發(fā)的高性能高壓源,輸出建立與斷開(kāi)響應快、無(wú)過(guò)沖。在擊穿電壓測試中,可設定電流限制或者電壓限值,防止    器件因過(guò)壓或過(guò)流導致?lián)p壞。

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規格參數

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