主要用途                                    

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。其廣泛應用于軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)、新能源裝備等領(lǐng)域。

系統概述                            

針對軌道交通的IGBT模組的靜態(tài)參數測試需求而研發(fā)的智能測試系統，自動(dòng)化程度高，按照操作人員設定的程序自動(dòng)工作。進(jìn)行測試時(shí)，有詳細的測試記錄，包括測試時(shí)間、測試環(huán)境、測試設備和儀器、測試結果等信息，便于后續分析和檢查計算機記錄測試結果，并且測試結果可轉化為文本或EXCEL格式存儲，工作時(shí)序、開(kāi)關(guān)的動(dòng)作狀態(tài)、數據采集等均由設備配置的計算機和PLC共同完成。

測試方法靈活，可測試單個(gè)單元和多單元的模塊，系統安全穩定，整體采用輪式機柜集成測試，具有簡(jiǎn)潔的人機交互界面（計算機）和良好的保護措施，操作簡(jiǎn)單，移動(dòng)方便等特點(diǎn)。

系統單元及參數條件