SiC|GaN第三代功率半導體器件測試系統認準武漢生產(chǎn)廠(chǎng)家普賽斯儀表，詳詢(xún)一八一四零六六三四七六；普賽斯以自主研發(fā)為導向，深耕半導體測試領(lǐng)域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設備，廣泛應用于廣泛應用于半導體測試行業(yè)； 本功率器件靜態(tài)參數測試系統可以完成多項參數測試，如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等。

測試系統簡(jiǎn)介 

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數測試系統，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類(lèi)型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容  、反向傳輸電容等。

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數測試系統配置有多種測量單元模塊，模塊化的設計測試方法    靈活，方便用戶(hù)添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。

系統組成

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數測試系統，主要包括測試主機、測試線(xiàn)、測試夾具、電腦、上位機軟件，以及相關(guān)通訊、測試配件等構成。整套系統采用普賽斯自主開(kāi)發(fā)的測試主機，內置多種規格電壓、電流、電容測量單元模塊。結合專(zhuān)用上位機測試軟件，可根據測試項目需要，設置不同的電壓、電流等參數，以滿(mǎn)足不同測試需求。測試數據可保存與導出，并可生成I-V以及C-V特性曲線(xiàn)。此外，測試主機可與探針臺搭配使用，實(shí)現晶圓級芯片測試；也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿(mǎn)足高低溫測試需求。

測試主機內部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，Z大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至pA級漏電流；集電極-發(fā)射極，Z大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時(shí)間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；Z高支持3500V電壓輸出，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測試，頻率Z高支持1MHz。

系統特點(diǎn)

高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（Z大擴展至10kV）；  
大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級導通電阻、nA級漏電流測試；
豐富模板：內置豐富的測試模板，方便用戶(hù)快速配置測試參數；
配置導出：支持一鍵導出參數配置及一鍵啟動(dòng)測試功能；
數據預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結果，亦可一鍵導出；
模塊化設計：內部采用模塊化結構設計，可自由配置，方便維護；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監控系統運行溫度；
可定制開(kāi)發(fā)：可根據用戶(hù)測試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā)；

測試夾具

針對市面上不同封裝類(lèi)型的硅基功率半導體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品，普賽斯提供

整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測試。

測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續流二極管壓降Vf
I-V特性曲線(xiàn)掃描，C-V特性曲線(xiàn)掃描等

選擇普賽斯儀表的理由

武漢普賽斯是國內最早生產(chǎn)源表的廠(chǎng)家，產(chǎn)品系列豐富：產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產(chǎn)已經(jīng)過(guò)了市場(chǎng)的考驗、市面有近500臺源表在使用；

普賽斯儀表特色：高電流、高電壓測試，3500V電壓下可測量pA級漏電流，1000A脈沖電流源15us的超快上升沿。