三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結，兩個(gè)PN結把整塊   半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發(fā)射區和集電區。

    設計電路中常常會(huì )關(guān)注的參數有電流放大系數β、極間反向電流ICBO、ICEO、集電極Z大允許電流ICM、反向擊穿電壓VEBO、VCBO、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線(xiàn)等參數。三極管IV特性曲線(xiàn)測試SMU國產(chǎn)源表就找生產(chǎn)廠(chǎng)家武漢普賽斯儀表，詳詢(xún)一八一四零六六三四七六；

輸入/輸出特性 

    三極管特性曲線(xiàn)是反映三極管各電極電壓和電流之間相互關(guān)系的曲線(xiàn)，是用來(lái)描述三極管工作特性曲線(xiàn)，常用的特性曲線(xiàn)有輸入特性曲線(xiàn)和輸出特性曲線(xiàn)：輸入特性曲線(xiàn)表示當E極與C極之間的電壓VCE保持不變時(shí)，輸入電流（即基極電流IB）和輸入電壓（即基極與發(fā)射極間電壓VBE）之間的關(guān)系曲線(xiàn)；當VCE=0時(shí)，  相當于集電極與發(fā)射極短路，即發(fā)射結與集電結并聯(lián)。  因此，輸入特性曲線(xiàn)與PN結的伏安特性類(lèi)似，呈指數    關(guān)系。當VCE增大時(shí)，曲線(xiàn)將右移。對于小功率晶體管，VCE大于1V的一條輸入特性曲線(xiàn)可以近似VCE大于1V的所有輸入特性曲線(xiàn)。

三極管輸入特性曲線(xiàn)

     輸出特性曲線(xiàn)表示基極電流IB一定時(shí)，三極管輸出電壓VCE與輸出電流IC之間的關(guān)系曲線(xiàn)。根據輸出特性曲線(xiàn)，三極管的工作狀態(tài)分為三個(gè)區域。 截止區：它包括IB=0及IB〈0（即IB與原方向相反）的一組工作曲線(xiàn)。當IB=0，IC=Iceo（稱(chēng)為穿透電流），在常溫下此值很小。在此區域中，三極管的兩個(gè)PN結均  為反向偏置，即使VCE電壓較高，管子中的電流Ic卻很 小，此時(shí)的管子相當于一個(gè)開(kāi)關(guān)的開(kāi)路狀態(tài)。 飽和區：該區域中的電壓VCE的數值很小，VBE〉VCE        集電極電流IC隨VCE的增加而很快的增大。此時(shí)三極管的兩個(gè)PN結均處于正向偏置，集電結失去了收集某區電子的能力，IC不再受IB控制。VCE對IC控制作用很大，   管子相當于一個(gè)開(kāi)關(guān)的接通狀態(tài)。 放大區：此區域中三極管的發(fā)射結正向偏置，而集電極反向偏置。當VEC超過(guò)某一電壓后曲線(xiàn)基本上是   平直的，這是因為當集電結電壓增大后，原來(lái)流入基 極的電流絕大部分被集電極拉走，所以VCE再繼續增大時(shí)，電流IC變化很小，另外，當IB變化時(shí)，IC即按比例   的變化，也就是說(shuō)，IC受IB的控制，并且IC變化比IB的變化大很多，△IC和△IB成正比，兩者之間具有線(xiàn)性關(guān)系，因此此區域又稱(chēng)為線(xiàn)性區。在放大電路中，必須使用三極管工作在放大區。

三極管輸出特性曲線(xiàn)

     根據材料以及用途不同，三極管器件的電壓、電流技術(shù)參數也不同，針對1A以下的三極管器件，推薦2臺S系列源表搭建測試方案，Z大電壓300V，Z大電流1A,最小電流100pA，可以滿(mǎn)足小功率MOSFET測試的需求。

     針對Z大電流為1A~10A的MOSFET功率器件，推薦采用2臺P系列脈沖源表搭建測試方案，其Z大電壓300V，Z大電流10A。

     針對Z大電流為10A~100A的MOSFET功率器件，推薦采用P系列脈沖源表+HCP搭建測試方案，Z大電流高達100A，最小電流低至100pA。

極間反向電流

    ICBO是指三極管發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，流過(guò)集電結的反向漏電電流；IEBO是指集電極開(kāi)路時(shí)，發(fā)射極到基極的電流，測試時(shí)推薦使用一臺普賽斯S系列或P系列源表。

反向擊穿電壓 

    VEBO是指集電極開(kāi)路時(shí)，發(fā)射極—基極間的反向  擊穿電壓；VCBO是指發(fā)射極開(kāi)路時(shí)集電極—基極間的 反向擊穿電壓，它決定于集電結的雪崩擊穿電壓；VCEO 是指基極開(kāi)路時(shí)集電極—發(fā)射級間的反向擊穿電壓，     它決定于集電結的雪崩擊穿電壓。測試時(shí)需要根據器件的擊穿電壓技術(shù)參數選擇相應的儀表，擊穿電壓在300V以下推薦使用S系列臺式源表或P系列脈沖源表，其Z大電壓300V，擊穿電壓在300V以上的器件推薦使用E系列，Z大電壓3500V。

CV特性

   與MOS管一樣,三極管也通過(guò)CV測量來(lái)表征器CV特性。