MOSFET(金屬—氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管)是  一種利用電場(chǎng)效應來(lái)控制其電流大小的常見(jiàn)半導體  器 件，可 以 廣 泛 應 用 在 模 擬 電 路 和 數 字 電 路 當 中 。 MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管  等材料制作，是材料及器件研究的熱點(diǎn)。主要參數有輸入/輸出特性曲線(xiàn)、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、IDSS，擊穿電壓VDSS、低頻互導gm、輸出電阻RDS等。場(chǎng)效應管閾值電壓測試S系列數字源表認準生產(chǎn)廠(chǎng)家武漢普賽斯儀表，詳詢(xún)一八一四零六六三四七六；

        受器件結構本身的影響,在實(shí)驗室科研工作者或者測試工程師常見(jiàn)會(huì )碰到以下測試難題:

（1）由于MOSFET是多端口器件，所以需要多個(gè)測  量模塊協(xié)同測試，而且MOSFET動(dòng)態(tài)電流范圍大，測試   時(shí)需要量程范圍廣，測量模塊的量程需要可以自動(dòng)切  換； 

（2）柵氧的漏電與柵氧質(zhì)量關(guān)系極大，漏電增加到  一定程度即可構成擊穿，導致器件失效，因此MOSFET     的漏電流越小越好，需要高精度的設備進(jìn)行測試； 

（3）隨著(zhù)MOSFET特征尺寸越來(lái)越小，功率越來(lái)越   大，自加熱效應成為影響其可靠性的重要因素，而脈沖測試可以減少自加熱效應，利用脈沖模式進(jìn)行MOSFET的I-V測試可以準確評估、表征其特性；

（4）MOSFET的電容測試非常重要，且與其在高頻應用有密切關(guān)系。不同頻率下C-V曲線(xiàn)不同，需要進(jìn)行多頻率、多電壓下的C-V測試，表征MOSFET的電容特性。

     使用普賽斯S系列高精度數字源表、P系列高精度   臺式脈沖源表對MOSFET常見(jiàn)參數進(jìn)行測試。

輸入/輸出特性測試

        MOSFET是用柵電壓控制源漏電流的器件,在某一固定漏源電壓下,可測得一條IDs~VGs關(guān)系曲線(xiàn),對應一組階梯漏源電壓可測得一簇直流輸入特性曲線(xiàn)。 MOSFET在某一固定的柵源電壓下所得IDS~VDS     關(guān)系即為直流輸出特性，對應一組階梯柵源電壓可測 得一簇輸出特性曲線(xiàn)。 根據應用場(chǎng)景的不同，MOSFET器件的功率規格   也不一致。針對1A以下的MOSFET器件，推薦2臺S系 列源表搭建測試方案，Z大電壓300V，Z大電流1A,     最小電流100pA，可以滿(mǎn)足小功率MOSFET測試的需求。

        針對Z大電流為1A~10A的MOSFET功率器件，推  薦采用2臺P系列脈沖源表搭建測試方案，其Z大電壓     300V，Z大電流10A。

    針對Z大電流為10A~100A的MOSFET功率器件，   推薦采用P系列脈沖源表+HCP搭建測試方案，Z大電流高達100A。

閾值電壓VGS（th) 

     VGS(th)是指柵源電壓能使漏極開(kāi)始有電流的VG   S 值;測試儀表推薦S系列源表。

漏電流測試 

     GSS(柵源漏電流)是指在特定的柵源電壓情況下  流過(guò)柵極的漏電流；IDSS(零柵壓漏極電流)是指在當    VGS=0時(shí)，在指定的VDS下的DS之間漏電流，測試時(shí)推   薦使用一臺普賽斯S系列或P系列源表；

耐壓測試

    VDSS(漏源擊穿電壓)：是指在VGS=0的條件下，增  加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS值；   根據器件的規格不同，其耐壓指標也不一致，測試  所需的儀表也不同，擊穿電壓在300V以下推薦使用S  系列臺式源表或P系列脈沖源表，其Z大電壓300V，擊穿電壓在300V以上的器件推薦使用E系列，Z大電壓3500V。

C-V測試 

   C-V測量常用于定期監控集成電路的制造工藝，通  過(guò)測量MOS電容高頻和低頻時(shí)的C-V曲線(xiàn)，可以得到   柵氧化層厚度tox、氧化層電荷和界面態(tài)密度Dit、平帶 電壓Vfb、硅襯底中的摻雜濃度等參數。  分別測試Ciss(輸入電容)、Coss(輸出  電容)以及Crss(反向傳輸電容)。

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