功率半導體器件一直是電力電子技術(shù)發(fā)展的重要組成部分，是電力電子裝置實(shí)現電能轉換、電源管理的核心器件，又稱(chēng)為電力電子器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節能功效。隨著(zhù)電力電子應用領(lǐng)域的不斷擴展和電力電子技術(shù)水平的提高，功率半導體器件也在不斷發(fā)展和創(chuàng )新，其應用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場(chǎng)，市場(chǎng)規模呈現穩健增長(cháng)態(tài)勢。
    

  不同材料、不同技術(shù)的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術(shù)卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線(xiàn)或其它靜態(tài)特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。

  靜態(tài)參數主要是指本身固有的，與其工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數。靜態(tài)參數測試又叫穩態(tài)或者DC（直流）狀態(tài)測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態(tài)后再進(jìn)行的測試。主要包括：柵極開(kāi)啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容),以及以上參數的相關(guān)特性曲線(xiàn)的測試。

  圍繞第三代寬禁帶半導體靜態(tài)參數測試中的常見(jiàn)問(wèn)題，如掃描模式對SiC MOSFET閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線(xiàn)路等效電容對SiC   MOSFET測試的影響等多個(gè)維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問(wèn)題，普賽斯儀表提供一種基于國產(chǎn)化高精度數字源表（SMU）的測試方案，具有更優(yōu)的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。功率半導體器件靜態(tài)測試機1700V+1000A認準普賽斯儀表，詳詢(xún)一八一四零六六三四七六；

系統特點(diǎn)

高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（Z大擴展至10kV）；  
大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級導通電阻、nA級漏電流測試；
豐富模板：內置豐富的測試模板，方便用戶(hù)快速配置測試參數；
配置導出：支持一鍵導出參數配置及一鍵啟動(dòng)測試功能；
數據預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結果，亦可一鍵導出；
模塊化設計：內部采用模塊化結構設計，可自由配置，方便維護；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監控系統運行溫度；
可定制開(kāi)發(fā)：可根據用戶(hù)測試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā)；

測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續流二極管壓降Vf
I-V特性曲線(xiàn)掃描，C-V特性曲線(xiàn)掃描等

普賽斯以自主研發(fā)為導向，深耕半導體測試領(lǐng)域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率器件靜態(tài)測試系統、大功率激光器老化測試系統等測試設備，廣泛應用于高校研究所、實(shí)驗室，新能源，光伏，風(fēng)電，軌交，變頻器等場(chǎng)景。