IGBT功率半導體器件主要測試參數

    近年來(lái)IGBT成為電力電子領(lǐng)域中尤為矚目的電力電子器件,并得到越來(lái)越廣泛的應用,那么IGBT的測試就變的尤為重要了。lGBT的測試包括靜態(tài)參數測試、動(dòng)態(tài)參數測試、功率循環(huán)、HTRB可靠性測試等,這些測試中最基本的測試就是靜態(tài)參數測試。

    IGBT靜態(tài)參數主要包含:柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發(fā)射極漏電流lGEs、集電極-發(fā)射極截止電流lcEs、集電極-發(fā)射極飽和電壓VcE(sat)、續流二極管壓降VF、輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crsso只有保證IGBT的靜態(tài)參數沒(méi)有問(wèn)題的情況下,才進(jìn)行像動(dòng)態(tài)參數(開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、續流二極管的反向恢復)、功率循環(huán)、HTRB可靠性方面進(jìn)行測試。功率半導體器件igbt測試系統igbt靜態(tài)測試儀器認準普賽斯儀表，詳詢(xún)一八一四零六六三四七六；

IGBT功率半導體器件測試難點(diǎn)

    IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件,兼有高輸入阻抗和低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn);同時(shí)IGBT芯片屬于電力電子芯片,需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下,對芯片的可靠性要求較高。這給IGBT測試帶來(lái)了一定的困難:

1、IGBT是多端口器件,需要多種儀表協(xié)同測試;2、IGBT的漏電流越小越好,需要高精度的設備進(jìn)行測試;

3、IGBT的電流輸出能力很強,測試時(shí)需要快速注入1000A級電流,并完成壓降的采樣;

4、lGBT耐壓較高,一般從幾千到一萬(wàn)伏不等,需要測量?jì)x器具備高壓輸出和高壓下nA級漏電流測試的能力;

5、由于IGBT工作在強電流下,自加熱效應明顯，嚴重時(shí)容易造成器件燒毀,需要提供us級電流脈沖信號減少器件自加熱效應;

6、輸入輸出電容對器件的開(kāi)關(guān)性能影響很大,不同電壓下器件等效結電容不同,C-V測試十分有必要。

普賽斯IGBT功率半導體器件靜態(tài)參數測試解決方案

   普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數測試系統,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量IGBT功率半導體器件的靜態(tài)參數,具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

圖5:IGBT測試系統圖

    普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數測試系統配置由多種測量單元模塊組成,系統模塊化的設計能夠極大方便用戶(hù)添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。

“雙高”系統優(yōu)勢

    高電壓、大電流

    具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(Z大可擴展至10kV)

    具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián))

    高精度測量

    nA級漏電流,  μΩ級導通電阻

    0.1%精度測量

    模塊化配置

    可根據實(shí)際測試需要靈活配置多種測量單元系統預留升級空間,后期可添加或升級測量單元

    測試效率高

    內置專(zhuān)用開(kāi)關(guān)矩陣,根據測試項目自動(dòng)切換電路與測量單元

    支持國標全指標的一鍵測試

    擴展性好

    支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具

測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續流二極管壓降Vf
I-V特性曲線(xiàn)掃描，C-V特性曲線(xiàn)掃描等

普賽斯功率半導體器件igbt測試系統igbt靜態(tài)測試儀器特點(diǎn)和優(yōu)勢：

單臺Z大3500V輸出；

單臺Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A；

15us的超快電流上升沿；

同步測量；

國標全指標的自動(dòng)化測試；

可定制夾具；

nA級電流和uΩ級電阻測量；