普賽斯功率半導體測試平臺1700V/1000A集多種測量和分析功能一體,可以精準測量IGBT功率半導體器件的靜態(tài)參數,具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢(xún)一八一四零六六三四七六；

IGBT測試系統圖

    普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數測試系統配置由多種測量單元模塊組成,系統模塊化的設計能夠極大方便用戶(hù)添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。

“雙高”系統優(yōu)勢

    高電壓、大電流

    具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(Z大可擴展至10kV)

    具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián))

    高精度測量

    nA級漏電流,  μΩ級導通電阻

    0.1%精度測量

    模塊化配置

    可根據實(shí)際測試需要靈活配置多種測量單元系統預留升級空間,后期可添加或升級測量單元

    測試效率高

    內置專(zhuān)用開(kāi)關(guān)矩陣,根據測試項目自動(dòng)切換電路與測量單元

    支持國標全指標的一鍵測試

    擴展性好

    支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具

測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續流二極管壓降Vf
I-V特性曲線(xiàn)掃描，C-V特性曲線(xiàn)掃描等

功率半導體測試平臺1700V/1000A特點(diǎn)和優(yōu)勢：

單臺Z大3500V輸出；

單臺Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A；

15us的超快電流上升沿；

同步測量；

國標全指標的自動(dòng)化測試；

可定制夾具；

nA級電流和uΩ級電阻測量；

普賽斯儀表專(zhuān)業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導體材料與器件測試的專(zhuān)業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實(shí)現功率半導體器件靜態(tài)參數的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導體器件靜態(tài)參數測試方案和國產(chǎn)化高精度源表感興趣，歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們，詳詢(xún)一八一四零六六三四七六；