IV特性是表征半導體二極管PN結制備性能的主要參數之一，普賽斯“五合一”高精度數字源表（SMU）可為高?？蒲泄ぷ髡?、器件測試工程師及功率模塊設計工程師提供測量所需的工具。不論使用者對源表、電橋、曲線(xiàn)跟蹤儀、半導體參數分析儀或示波器是否熟悉，都能簡(jiǎn)單而迅速地得到精確的結果，半導體器件iv+cv測試儀就找生產(chǎn)廠(chǎng)家武漢普賽斯儀表，詳詢(xún)一八一四零六六三四七六；

 分立器件特性參數測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應，通常分立器件特性參數測試需要幾臺儀器完成，如數字萬(wàn)用表、電壓源、電流源等。然而由數臺儀器組成的系統需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測量和分析，過(guò)程既復雜又耗時(shí)，又占用過(guò)多測試臺的空間；而且使用單一功能的測試儀器和激勵源還存在復雜的相互間觸發(fā)操作，有更大的不確定性及更慢的總線(xiàn)傳輸速度等缺點(diǎn)。實(shí)施半導體分立器件特性參數分析的Z佳工具之一是數字源表（SMU）。數字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、伏特計、安培計和歐姆表，還可用作精密電子負載，其高性能架構還允許將其用作脈沖發(fā)生器、 波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統，支持四象限工作。

普賽斯“五合一”高精度數字源表

  普賽斯“五合一”高精度數字源表（SMU）可為高?？蒲泄ぷ髡?、器件測試工程師及功率模塊設計工程      師提供測量所需的工具。不論使用者對源表、電橋、曲線(xiàn)跟蹤儀、半導體參數分析儀或示波器是否熟悉，都能簡(jiǎn)單而迅速地得到精確的結果。本應用解決方案介紹了半導體分立器件中常見(jiàn)的測試和相關(guān)挑戰，以及普賽斯數字源表（SMU）怎樣簡(jiǎn)化測量流程，幫助用戶(hù)快速、精準獲得測試數據或者電流電壓（I-V）、電容電壓（C-V）特性曲線(xiàn)等。

普賽斯源表輕松實(shí)現二極管特性參數分析 

  二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向導 電性元器件，產(chǎn)品結構一般為單個(gè)PN結結構，只允許   電流從單一方向流過(guò)。發(fā)展至今，已陸續發(fā)展出整流二 極管、肖特基二極管、快恢復二極管、PIN二極管、光電 二極管等，具有安全可靠等特性，廣泛應用于整流、穩壓、保護等電路中，是電子工程上用途Z廣泛的電子元 器件之一。

    IV特性是表征半導體二極管PN結制備性能的主要參數之一，二極管IV特性主要指正向特性和反向特性： 

    正向特性：

    當在二極管兩端外加正向電壓時(shí)，在正 向特性的起始部分，正向電壓很小，正向電流幾乎為零，這一段稱(chēng)為死區。這個(gè)不能使二極管導通的正向電 壓稱(chēng)為死區電壓。當正向電壓大于死區電壓以后，二極 管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變， 這個(gè)電壓稱(chēng)為二極管的正向電壓。 

    反向特性：

    當外加反向電壓時(shí)，如果電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，反向電流很小，二極管處于截止狀態(tài)，這個(gè)電流稱(chēng)為反向飽和電流或漏電流。當外加反向電壓超 過(guò)某一數值時(shí)，反向電流會(huì )突然增大，這種現象稱(chēng)為電       擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱(chēng)為二極管反向擊穿電壓。

    表征二極管性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標主要包含正向壓降（VF）、反向漏電流（IR）和反向擊穿電壓 （VR）等參數。

   正向壓降（VF） 

    在規定的正向電流下，二極管的正向壓降，是二極  管能夠導通的正向Z低電壓。小電流硅二極管的正向   壓降在中等電流水平下，約0.6～0.8 V；鍺二極管約 0.2～0.3 V；大功率的硅二極管的正向壓降往往達到1V。 測試時(shí)，需要根據二極管工作電流的大小來(lái)選擇 不同的測試儀表：當工作電流小于1A時(shí)，使用S系列源 表進(jìn)行測量；電流在1~10A之間時(shí)推薦使用P系列脈沖源表；電流在10~100A之間時(shí)推薦HCP系列大電流臺式脈沖源；100A以上推薦HCPL100高電流脈沖電源。

    反向擊穿電壓（VR） 

     二極管根據材料和結構的不同，其擊穿電壓大小也不同，低于300V推薦普賽斯S系列臺式源表，300V以上推薦E系列高壓源測單元。

    大電流測試時(shí)，測試導線(xiàn)的電阻不可忽略，需要使用四線(xiàn)測量模式，可以消除引線(xiàn)電阻的影響，普賽斯所有源表均支持四線(xiàn)測量模式。

    當測量低電平電流(<1μA)時(shí)，可以使用三軸同軸連接器和三同軸電纜。三同軸電纜由內芯（主，對應連  接器為中心觸點(diǎn)）、保護層（對應連接器為中間圓柱狀觸點(diǎn)）、外皮屏蔽層組成。在接入源表保護端的測試電路中，由于三同軸的保護層與內芯之間是等電位，不會(huì )有漏電流產(chǎn)生，能夠提高低電流測試精度。

    C-V特性測試 

    二極管參數表征除了I-V測試，也需要進(jìn)行C-V測 ，C-V測量方法可以得到關(guān)于二極管摻雜濃度、缺陷 之類(lèi)的特性；二極管C-V測試方案由S系列源表、LCR、測試夾具盒以及上位機軟件組成。

如需獲取更多半導體器件iv+cv測試儀的信息，歡迎來(lái)電咨詢(xún)18140663476！武漢普賽斯是國內醉早生產(chǎn)源表的廠(chǎng)家，產(chǎn)品系列豐富：產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產(chǎn)已經(jīng)過(guò)了市場(chǎng)的考驗、市面有近500臺源表在使用，市場(chǎng)占有率高；SXXB系列高精度數字源表，相比于傳統S系列源表，直流更大、精度更高、準確度提升至±0.03%，直流電流升級至3A，可為半導體行業(yè)提供更加精準、穩定的測試方案